IDT公司（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子RENESAS收购）是一家提供基本混合信号半导体解决方案的模拟和数字公司，今天宣布推出业界首个完整的用于 DDR4负载减少的双列直插内存模块 (LRDIMM) 的芯片组，包括注册时钟驱动程序和数据缓冲设备。随着 DDR4 数据速率攀升至 3.2 Gb/s 或更高，LRDIMM 作为一种速度可扩展的内存技术所提供的明显优势有望推动广泛的内存密集型计算和存储应用程序的采用。

新的 IDT 4DB0124 DDR4 数据缓冲器完善了芯片组与现有的 4RCD0124 注册时钟驱动器 (RCD)，以通过 LRDIMM 提供命令、地址、时钟和数据信号的完整缓冲。通过在 LRDIMM 底部实例化 9 个数据缓冲区，中间有一个 RCD，多达 16 个 DRAM 列可以减少到单个负载（如呈现给主机控制器通道）。这种分布式方法最大限度地减少了数据位之间的存根长度和物理偏差，并显着提高了多插槽系统中 LRDIMM 的速度和带宽性能。与 DDR3 LRDIMM 相比，DDR4 LRDIMM 还降低了终端功耗并将延迟减少了一半。

“英特尔一直在与生态系统合作伙伴合作，以实现 DDR4 内存模块，包括 LRDIMM，”英特尔（纳斯达克股票代码：INTC）内存生态系统支持总监 Geof Findley 说。“内存接口设备是这些模块的关键组件，我们很高兴看到 IDT 在这一领域继续保持领先地位。”

“DDR4 代表了内存接口的下一个重大转变。由于云、关键业务和高性能计算应用程序所需的数据速率和内存占用，LRDIMM 对我们的客户来说是一项越来越重要的技术，” Mario Montana说，IDT 企业计算部门副总裁兼总经理。“使我们的生态系统合作伙伴能够在产品开发的所有阶段取得成功，这对我们长期保持市场领先地位起到了重要作用。IDT 较早推出 DDR4 寄存器、数据缓冲器和温度传感器，作为 DDR4 ECC-UDIMM、RDIMM 和现在的 LRDIMM 的第一个市场解决方案，确保 IDT 始终处于客户资格的最前沿。”

4DB0124 支持启用高级配置和电源接口 (ACPI) 状态的省电模式，以降低整体系统功耗。该创新设备还支持一系列测试和调试功能，包括缓冲区透明模式，以促进 LRDIMM 制造、测试和系统级验证。4DB0124 和 4RCD0124 目前正在与生态系统合作伙伴进行评估。

定价和供货

 IDT 4DB0124 目前正在向合格客户提供样品，采用 53 球 FPBGA 封装。